第1140章 学术皇帝的诞生 (第4/5页)

专业这小王八蛋也都能插一手，这就让刘浏觉得眼角直抽搐了。

台上的卿云此刻总结到，“邹院，碳化硅材料有卓越的耐高电压、高频、高温特性，我觉得可以及早布置下去，让海军技术研究院的人提前参与进来。

这是我们最快也是最直接的终端用户，他们的需求是第一位的。”

那边被点名的邹院闻言也是喜笑颜开，“没问题，我立刻联系老张他们。

按照你的说法，碳化硅材料的禁带宽度为3.26eV，相较于硅的1.12eV，允许碳化硅器件在更高的温度下稳定运行，能保证我们的器件在承受高频的电磁攻击下不发生击穿，那么确实在军舰的电子仪器系统中将发挥巨大的作用。”

坐在另一边的大王先生王阳明也是颔首，“碳化硅具有2倍于硅的饱和电子漂移速率，导致其器件在关断过程中不产生电流拖尾现象，能够提高元件的开关速度，是硅开关速度的3-10倍。

这使得碳化硅在军舰的雷达系统、通信设备等需要高速切换的电子设备中表现出色。”

不过材料学泰斗严东升此时却皱起了眉头，“碳化硅好是好，但制备存在很大的难度。

生长速度慢，一周才能生长2厘米，材料晶型多样，存在超过200种相似的晶型，需要精确的材料配比、热场控制和经验积累，才能在高温下制备出无缺陷、皆为4H晶型的可用碳化硅衬底。

但是碳化硅衬底的表面特性不足以直接制造器件，需要在单晶衬底上额外沉积一层高质量的外延材料，并在外延层上制造各类器件。

外延层的质量对器件性能的影响非常大，而高压领域对缺陷的控制是非常大的挑战，而且后加工难度很大，碳化硅是硬度仅次于金刚石的材料，晶棒后续的切片、研磨、抛光等工艺的加工难度显著增加，我们国内缺乏这类的加工器材。

而且由于碳化硅扩散温度远高于硅，无法使用扩散工艺，只能采用高温离子注入的方式。

但高温离子注入后，材料原本的晶格结构被破坏，需要用高温退火工艺进行修复。碳化硅退火温度高达1600℃，这对设备和工艺控制都带来了极大的挑战。”

老头絮絮叨叨的说着，半响他叹了口气，“归根到底还是成本问题，我个人认为，小卿你太乐观了些，三五年内，它很难走出实验室。”

此话一出，全场也是议论纷纷，严东升的担忧引起了在场人士的广泛讨论。

云帝很是欣慰，现在的院士们在他潜移默化的影响下，看问题的角度更加务实了。

不过眼前这个问题，他不接受反驳。

在电子战领域，每一个微小的技术优势都可能成为决定战局的关键。

碳化硅材料的耐高温、耐高压特性，使其在电子战中能够承受极端的电磁环境，保持电子设备的稳定运行。

这个材料的攻破时间必须提前。

因为他的出现，已经导致半导体产业的发展提速。

但是，如果国家没有一只强大军队作为后盾，只是单方面的攀升科技树，那么作为肥羊被宰都是最轻松的。

16年发生的事，很可能会提前。

要是没有提前准备，到时候退的，可能就不是阿美莉卡了。

国力必须协同军力同步发展，有的时候穷兵黩武一点也没问题。

守不住，一切都是空谈。

卿云坚定地说道：“严院士，我理解您的担忧，碳化硅的制备和加工确实存在难度。

但我们必须看到，这些难度并非不可克服。

成本问题是需要迭代去解决的。

既然我们已经确认了它的前景，通过严院士您的团队，我们也在碳化硅的制备技术上取得了一定的进展，那么我们就坚定的走下去。

我相信，随着我们产业上自身技术的不断进步，这些难题将会被一一解决。”

“设备这边，工信部正在摸底，相信民间还是有一定智慧的。同时我们也在通过玻璃产业去引进一些国外的高端设备。

但我还是那句话，能用国产，就用国产，性能差点没关系，迭代就好，在我们力所能及的范围内，给国产一片成长的土壤。”

“硅具有高理论比容量和低嵌锂电位，接近锂金属负极的理论比容量，按照形成Li3.75Si合金计算，其理论克比容量达到3579mAh/g，接近商业石墨负极理论容量的10倍。

此外，硅表现出约为0.4v的锂化/脱锂化电压，低于其他大多数合金型负极，可提供较高能量密度。

同时，其工作电位略高于石墨锂化电位，可以极大避免析锂现象，提高循环寿命和安全性。

它必然会成为负极材料。”

“我们矿大化工学院的王娟和张香兰两位教授在这方面研究的比较深，同时湖科大机电院的龚俊等人也对锂离子电池用硅基负极硅源材料及其制备工艺进行了一定的研究。

这方面我们应该是